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磁界によって抵抗値が変化するインジウムアンチモナイド（InSb）磁気抵抗体と、これに磁気バイアスを与える永久磁石から構成されています。検知面に磁性体が接近すると、磁気抵抗体に働く磁束密度が変わり、抵抗値が変わる事によって、出力信号が得られます。
※MR素子（磁気抵抗効果素子）を利用した磁気センサについての動作原理などはこちらをご覧下さい。

特長

磁気抵抗素子は、InSb単結晶で、感度が高くSN比が良い。
被検体が検知面に密着しなくても検知できる。
出力は、磁性体の移動速度に依存せず、静止体の検知もできる。
検知部は、純抵抗であり、誘導ノイズを受けにくい。
限られたスペースでも使える小型金属ケースパッケージである。

最大定格（Ta=25℃）

項目	記号	定格値	単位
最大印加電圧	Vamax	5.5	V
絶縁耐圧	VI	100	V
許容損失	PD	44	mW
動作周囲温度	Topg	-30 ～ +85	℃
保存周囲温度	Tstg	-30 ～ +85	℃

電気的特性（Ta=25℃）

項目	記号	条件	最小	標準	最大	単位
出力電圧	VOUT	Va=5V※1	0.16		0.42	mVrms
抵抗バランス	d	I=1mA※2			30	%
入力抵抗	R	I=1mA	700	－	4500	Ω
内部雑音	VNW	Va=5V			50	μVP-P
ピエゾ雑音	VNP	Va=5V押圧10g			300	μVP-P
検知面磁束密度	B			0.075(S極)		T
検出幅	W			3		mm

※1 入力は、φ0.1mmの銅線に50Hz/100mARMSの電流を流した時に発生する磁束を用いる。※2d=|MR1-MR2|/MR1（またはMR2）×100

内部接続図

外形図

（注意）本記載の仕様、外形等は予告無く変更させて戴くことがありますのであらかじめご了承下さい。