尼科希有限公司　ＭＲ传感器 MRsensor.com（MRS-F-21）

HOME > 产品介绍 > MRS-F-21

MRS-F-21

MRS-F-41

MRS-F-51

MRS-G-21

MRS-H-21

MRS-137A

MRS-133

MRS-134

MRS-09S

MRS-13

MRM-100

MRM-200

询问
尼科希有限公司
电子部件事业本部
营业部
　 TEL81-3-3270-8853

产品介绍

MRS-F-21

在这里能购买样品

样品价格 (日元)
1p/lot	500p/lot	1000p/lot
3,000	1,450	1,300

下载PDF资料

为了阅览需要Adobe Reader。

本传感器由随磁场强度变化而电阻值变化的锑化铟(InSb)磁阻体和提供给磁阻体磁偏压的永久磁铁而构成。磁性体一接近传感检测面、对磁阻体起作用的磁通量密度则会变化，根据电阻值的变化可得到输出信号。

特色

磁阻元素使用ＩｎＳｂ单结晶，灵敏度高、ＳＮ比好。
被测体与传感检测面有一些距离也可检知。
输出与磁性体的移动速度无关，因此对静止物也可检知。
传感部是纯电阻因此不易受到诱导噪音的影响。
是一种在被局限的空间内可使用的小型金属壳封装的传感器。

绝对最大额定值(Ta=25C)

项目	符号	规定值	单位
最大应用电压	Vamax	5.5	V
绝缘电压	VI	100	V
容许损耗	PD	44	mW
运行环境温度	Topg	-30 ～ +85	℃
保存环境温度	Tstg	-30 ～ +85	℃

电气规范说明(Ta=25C)

项目	符号	条件	min.	Typ.	Max.	单位
输出电压	VOUT	Va=5V※1	0.16		0.42	mVrms
中点对称性	d	I=1mA※2			30	%
内部电阻	R	I=1mA	700	－	4500	Ω
内部噪音	VNW	Va=5V			50	μVP-P
压电噪音电压	VNP	Va=5V押圧10g			300	μVP-P
检测面磁通密度	B			0.075 (S Pole)		T
检测宽度	W			3		mm

※1 Input uses the magnetic flux which occurs when it is charged with current of 50Hz, 100mA(rms) in the line of φ 0.1mm.※2 d=|MR1-MR2|/MR1（or MR2）*100

内部接线图

外形尺寸图

# 产品外形等变更时不予以通告请原凉