尼科希有限公司　ＭＲ传感器 MRsensor.com（MRS-13）

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产品介绍

MRS-13

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本传感器由随磁场强度变化而电阻值变化的锑化铟(InSb)磁阻体和提供给磁阻体磁偏压的永久磁铁而构成。磁性体一接近传感检测面、对磁阻体起作用的磁通量密度则会变化，根据电阻值的变化可得到输出信号。因为内藏2回路，所以作为磁译码器的伺服电机的位置验知器等的应用最适合。

特色

因为A，B，Z各相持着正逆相输出输出很大，自于温度的中点电压的变动少。
磁阻元素使用ＩｎＳｂ单结晶，灵敏度高、ＳＮ比好。
被测体与传感检测面有一些距离也可检知。
输出与磁性体的移动速度无关，因此对静止物也可检知。
传感部是纯电阻因此不易受到诱导噪音的影响。
是一种在被局限的空间内可使用的小型金属壳封装的传感器。

最大定格（Ta=25℃）

项目	符号	规定值	单位
最大应用电压	Vamax	5.5	V
容许损耗	PD	100	mW
运行环境温度	Topg	-10 ～ +80	℃
运行环境湿度		0 ～ +98	%RH
保存环境温度	Tstg	-40 ～ +120	℃

绝对最大额定值(Ta=25C)

项目	符号	条件	min.	Typ.	Max.	单位
输入电阻	R	Ic≦1mA ※1	120	-	330	Ω
中性电压	Voa,Voa(-) Vob,Vob(-) Voz,Voz(-)	正转弯 ※1	0.20	-	0.28	V
输出电压	VA VA(-) VB VB(-) VZ VZ(-)	※1	0.50 0.50 0.50 0.50 0.90 0.90	0.70 0.70 0.70 0.70 - -	- - - - - -	Vp-p Vp-p Vp-p Vp-p Vp-p Vp-p
VA-VA(-),VB-VB(-) 输出偏差	d	※1 {2(VA-VA(-))×100} / (VA+VA(-))	-	-	30	%
VA-VA(-),VB-VB(-) 输出偏差	d	※1 {2(VB-VB(-))×100} / (VB+VB(-))	-	-	30	%
絶縁抵抗		DC500V	100	-	-	MΩ
AC耐圧		AC500V(O-P) 1分间	异常没有的状态
AC界限耐压			600	-	-	V0-p

※1　　测量条件
　　　输入电阻：5.00±0.01V
　　　间隙：0.15mm
　　　输入:指定牙齿数　模数 0.4
　　　圈数：1500±100r.p.m

内部接线图

各相的电阻配置(单位:μm)

外形尺寸图

# 产品外形等变更时不予以通告请原凉